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STP4NA80中文资料

  • 大小：199.99KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：800 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.3 S
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：110 W
  • 上升时间：70 ns
  • 工厂包装数量：50

STP4NA80供应商

更新时间:2023-01-06 11:51:06
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